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2SK3480
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)
TO-220AB(MP-25)
2) TO-262(MP-25 Fin Cut)
10.6 MAX.
φ 3.6±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3±0.2
10.0 TYP.
4
4
1 2 3
1.3±0.2
1
2
3
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5±0.2
2.8±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
4) TO-220SMD(MP-25Z)
3)
TO-263 (MP-25ZJ)
Note
10 TYP.
4.8 MAX.
10 TYP.
4.8 MAX.
4
1.3±0.2
4
1.3±0.2
1
2
3
1
2
3
P.
TY
0.8
P.
.5R TY
R
2.54 TYP. 0
1.4±0.2
0.7±0.2
2.54 TYP.
0.5
2.54 TYP.
R
TY
R
P
.
0.5±0.2
1.4±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
0
TY
.8
P.
0.5±0.2
EQUIVALENT CIRCUIT
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan.
Gate
Gate
Protection
Diode
Drain
Source
Body
Diode
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
Data Sheet D15078EJ1V0DS
7
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